率能SS8109国产兼容替代LM3409|LT3473|FL7760_LED照明
- 参数一：输入电压6.5-65V
参数二：输出5A左右的驱动电流
参数三：调光：数/模双通道调光模式
参数四：QFN20 5*5mm
率能半导体SS8109国产兼容替代LM3409|LT3473|FL7760_LED调光照明
在照明细分的领域，在舞台追光、切割等灯具的恒流驱动设计，为了实现更好的调光效果，主流技术分为输出均值采样与输
入端峰值采样为主；输出均值采样优点在输出的线性度会更好，但响应时间由于电感的存在，会滞后90°相位，在高速响应时无法
实现电流的瞬态变化，典型代表TI的TPS92641 及一众异步调光IC；峰值采样方式由于采样在电感前端，电流瞬态响应时间可以
处理更快，不存在滞后问题，输出电流特性会追随LED固有的光源特性的曲线一致，代表型IC 如TI的LM3409，VAS1253等产
品。
SS8109功能兼容替代LM3409，输入电压高达65V，并舍去了PMOS这种高成本的器件，使用了双N-MOS架构的同步整
流设计，在效率上更优于LM3409，内置并联驱动器，为了实现更高的调光效果，对调光系统进行了优化，以便实现更低的调光灰
度及更高的响应时间，SDRV端口的响应时间提升，有效提高对并联MOSFET的驱动特性，以实现更高的调光灰度；频率可按需求
调整设置，以便满足对不同线路及温度的设计需求。
对于调光深度不足，对并联驱动能力的响应时间不足，及并联MOS选择差异，有着千丝万缕的影响，SS8109在设计上做了
深度优化，下图是小寄生参数的低亮度波形。
有些工程师设计电源的时候，总是惦记着散热从MOSFET的Rdson方向解决，并专心致志的研究MOSFET，而恰恰
忽略了寄生电容的损耗，由于电源频率较高的条件下，MOSFET的寄生便会如影随形交缠不清，下图是在选用了小寄生参
数的并联MOSFET得到的温度参数，并联MOS温度升高在并联泄放瞬间，瞬间导通时间越长，上升沿越慢，损耗相对就
大。
并联SDRV占空比开关损耗决定了MOS的工作温度。
PWM端口PDIM可以提供正常10Hz-150KHz刷新频率（可以更高，然而响应时间随着刷新频率增加而增加）的调光
信号，可以实现0.03%-100%的输出亮度调控，解析度0.01%以上，
SS8109可提供输出5A左右的驱动电流，最高可实现200W输出功率设计，满足目前大部分激光产品的应用场景设计
当然，SS8109不仅仅只是为了舞台灯光应用，IC自带UVEN软开机功能，对直接上电工作的设计可有效防止开机瞬间的
电容充电特性通过的大电流损伤电源；一组模拟调光可方便对输入端峰值电流进行调整，配合PWM调光端口进行数模混合
调光设计。
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电流采样方式：输入高边峰值采样
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驱动负载： 共阴极
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频率控制： 可设置
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保护：输入过流，输出过流，开路保护，过温保护
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调光：数/模双通道调光模式
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封装：QFN20 5*5mm
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应用：舞台灯光，工业照明，船舶照明，航空照明等等
